硅蒸镀法制备低密度C/C复合材料表面SiC涂层

• 作者: 尤启凡 施伟 李佳艳 王兵 谭毅
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 低密度C/C复合材料 硅蒸镀法 SiC涂层
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 材料与工艺
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 分类号: TB332
• 语种: 中文
• DOI: 10.11868/j.issn.1001-4381.2015.02.001

摘要

采用浆料法在低密度C/C复合材料表面制备了石墨涂层,然后利用硅蒸镀法使硅蒸气与石墨涂层反应生成SiC涂层.借助X射线衍射、扫描电子显微镜等研究了蒸镀温度、蒸镀时间、石墨涂层表面粗糙度、硅蒸发源及气氛条件对涂层微观结构、相组成、致密度、平整度以及涂层厚度的影响.结果表明:随着蒸镀温度的升高,涂层的表面平整度增加,当蒸镀温度为1550℃和1650℃时,涂层表面仅存在SiC;硅块为硅蒸发源,氩气为保护气氛均可提高涂层表面平整度;降低石墨涂层的表面粗糙度,涂层的致密度和连续性增大;随着蒸镀时间的增加,SiC涂层厚度和致密度逐渐增加.