背栅单层石墨烯场效应晶体管的构建及可靠性研究?

• 作者: 于金 张灵敏 张艳娟 王增梅 王蔚妮 郝威 郭新立 陈坚
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 石墨烯 场效应晶体管 滞回行为
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 研究?开发
• 页码范围: 1022-1026
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.99
• 字数: 3275字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2015.01.004

摘要

采用低压化学气相沉积法(LPCVD)制备了高质量的单层石墨烯薄膜,通过湿法转移将所制备的单层石墨烯无损覆盖到两条平行粘贴在Si O 2/Si衬底上的热释放胶带表面,胶带间距约500μm,进而对试样进行加热和切割,获得与Si O 2/Si 衬底紧密结合的石墨烯条带(约10000μm×500μm),最后采用掩膜法在石墨烯条带上蒸镀金电极,构建成背栅石墨烯场效应晶体管。该方法简单易行,电学性能测试结果表明,石墨烯与金电极具有良好的欧姆接触,室温下,石墨烯的空穴迁移率约为735 cm2/(V?s),且表现出了石墨烯所特有的双极性特征。背栅石墨烯场效应晶体管转移特性曲线表现出了滞回行为,且随着施加栅压的增大,滞回行为越来越显著,展示出高的性能可靠性。