高k栅介质SOI LDMOS管阈特性分析与建模

• 作者: 唐寿根 李立群 赵辉
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: SOI LDMOS 阈特性 小尺寸效应 高k栅 阈值电压漂移 沟道长度
• 年，卷（期）: 2015,（9）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 92-96
• 页数: 5页
• 分类号: TN43
• 字数: 2697字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.09.021

摘要

通过分析高k栅介质SOI LDMOS管沟道与埋氧层的关系，建立了SOI LDMOS管的阈特性模型。研究了器件主要结构参数对阈特性及小尺寸效应的影响，分析了阈值电压与高k栅介质的介电常数和应变Si层的掺杂浓度的关系。通过软件ISE TCAD进行模拟仿真。结果表明，在不同的tSi和NA条件下，阈值电压的模型计算与数值模拟值吻合率为94.8%，最大差值为0.012 V，不同沟道长度SOI LDMOS的阈值电压漂移率为3.52%，最大漂移电压为0.008 V，模型计算值与数值模拟结果基本吻合。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐寿根		2	4	1.0	2.0
2	赵辉		1	1	1.0	1.0