载荷对SiC晶片抛光质量的影响

• 作者: 何文海 慕蔚 李科 汶超
• 来源期刊: 中国集成电路
• 关键词: SiC 研磨 抛光 化学机械抛光 载荷
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 制造
• 页码范围: 67-73
• 页数: 7页
• 字数: 1676字
• 语种: 中文

摘要

首先利用不同粒度的碳化硼研磨液对SiC晶片分别进行粗磨和细磨,然后利用金刚石微粉悬浮抛光液对晶片进行机械抛光,在此基础上进行最终的化学机械抛光.本文重点研究了化学机械抛光时,不同载荷对晶片质量的影响,并利用Taylor Surf CCI2000非接触式粗糙度检测仪来进行表征.实验结果表明:在主盘转速为60rpm,PH为11,抛光时间为120min,温度为20摄氏度的最优实验条件下,加载0.6kg/cm2的压力,初始粗糙度为17nm的晶片其粗糙度可减小至3.8nm;在一定范围内晶面的表面粗糙度随着载荷的增大而减小,材料去除率随着载荷增大而增大,当载荷增大到一定程度时候粗糙度并无明显变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汶超		1	0	0.0	0.0
2	李科		2	1	1.0	1.0
3	何文海		9	2	1.0	1.0
4	慕蔚		6	17	3.0	4.0