直拉硅单晶中双空洞长大动力学的相场模拟

• 作者: 关小军 张向宇 曾庆凯 王进
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅单晶 直拉法生长 相场模拟 双空洞 长大动力学
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 页码范围: 1207-1212
• 页数: 6页
• 分类号: O77
• 字数: 4133字
• 语种: 中文

摘要

为了研究硅单晶直拉法生长过程中双空洞的长大动力学以及空洞间的相互作用机理,采用已建立的空洞演化的相场模型及其应用程序,模拟研究了直拉硅单晶生长过程中双空洞演化和相关因素的影响规律.结果表明:所建相场模型能够有效地模拟基体中空位扩散和双空洞长大的过程;双空洞长大趋势随着模拟时间和初始空位浓度的增强而加强;随着空洞初始中心间距的增加和初始空位浓度的减小,双空洞长大由相互融合模式转变为独立长大模式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	关小军	山东大学材料科学与工程学院	86	700	13.0	22.0
5	王进	山东大学材料科学与工程学院	44	175	7.0	11.0
9	曾庆凯	山东交通学院航空学院	6	13	3.0	3.0
10	张向宇	山东大学材料科学与工程学院	6	35	3.0	5.0