类氖氙离子LM n双电子复合模拟谱

• 作者: 张建平 杨建会 范强
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 相对论组态相互作用 双电子复合 截面
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 原子、分子结构与光谱
• 页码范围: 931-935
• 页数: 5页
• 分类号: O562.4|O562.1
• 字数: 3245字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2015.12.006

摘要

在双电子复合过程发生的能量范围内，发射X光子的原子过程除双电子复合过程外还有辐射复合、共振激发、共振复合以及直接激发原子过程。本文使用相对论组态相互作用方法计算了这些过程的截面，比较了在双电子复合过程发生的能量范围内这些原子过程的截面与双电子复合过程截面，探讨了这些过程对双电子复合过程的影响。研究结果表明，辐射复合截面随入射电子束能量的增大迅速减小，在双电子复合能量范围内几乎为一常数，可以作为本底来处理；共振激发和共振复合过程对双电子复合过程的影响可以忽略不计；当入射电子束能量高于靶离子的第一激发能时，电子碰撞直接激发截面与高Rydberg态的截面连成一片，随着入射电子束能量的增加，电子碰撞直接激发截面越来越大，这时必须考虑直接激发过程。使用相对论组态相互作用方法计算了类氖氙离子的双电子复合截面，其结果与已有的部分实验和理论结果很吻合。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张建平	乐山师范学院物理与电子工程学院	35	61	3.0	6.0
2	杨建会	乐山师范学院物理与电子工程学院	27	22	3.0	3.0
3	范强	乐山师范学院物理与电子工程学院	20	13	2.0	2.0