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ST推出新功率MOSFET,实现近乎完美的开关性能
ST推出新功率MOSFET,实现近乎完美的开关性能
作者:
郑畅
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
意法半导体
电源解决方案
开关性能
ST
负载条件
开关式
系列产品
电信设备
关断开关
笔记本电脑
摘要:
<正>意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)MDmesh M2系列的N-沟道功率MOSFETs再增添新成员,新系列产品能够为服务器、笔记本电脑、电信设备及消费电子产品电源提供业内最高能效的电源解决方案,在低负载条件下的节能效果尤为显著,让设计人员能够开发更轻、更小的开关式电源,同时轻松达到日益严格的能效目标要求。新款600V MDmesh M2EP产品整合意法半导体经过市场检验的条形布
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ST推出新功率MOSFET,实现近乎完美的开关性能
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意法半导体
电源解决方案
开关性能
ST
负载条件
开关式
系列产品
电信设备
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笔记本电脑
年,卷(期)
2015,(5)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
10-11
页数
2页
分类号
TN386
字数
语种
DOI
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期刊影响力
半导体信息
主办单位:
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
CN:
开本:
16开
出版地:
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
邮发代号:
创刊时间:
1990
语种:
chi
出版文献量(篇)
5953
总下载数(次)
11
总被引数(次)
664
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