GaSe晶体的双光子吸收对太赫兹输出的影响

• 作者: 姜可 李殿军 杨贵龙 谢京江 谢冀江 陈飞
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaSe晶体 双光子吸收 太赫兹 吸收截面
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 发光学应用及交叉前沿
• 页码范围: 361-365
• 页数: 5页
• 分类号: O437|TN248
• 字数: 2269字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20153603.0361

摘要

根据光整流效应，利用超快激光脉冲泵浦GaSe晶体实现了0.2~2.5 THz的宽带太赫兹辐射输出。禁带中的电子在两个800 nm光子的作用下激发到导带中形成自由载流子，进而吸收所产生的太赫兹辐射，最终导致太赫兹的输出随泵浦功率的增加而趋于饱和。为了研究双光子吸收对太赫兹输出的影响，测量了800 nm处的GaSe晶体的双光子吸收系数，结果为0.165 cm/GW。通过对太赫兹输出实验数据的拟合，得到GaSe晶体中自由载流子对太赫兹输出的吸收截面为1×10-15 cm2。本文的研究结果可用于优化GaSe晶体在强激光泵浦下的太赫兹转换效率。