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摘要:
本文是负电子亲和势光电阴极发现50周年的纪念文章,简要回顾了过去的成绩,现在的困难及今后的展望。经过近30年的努力,我国 MOCVD 生长的反射式 GaAs 光电阴极的积分灵敏度已达到3516μA/lm,目前存在的困难是光电阴极寿命问题,寿命问题解决了,高性能微光像增强器以及EBAPS 数字器件可以缩短与西方的差距。如果高灵敏度长寿命的 GaAs:O-Cs 光电阴极真正取代了目前大科学装置中的铜阴极,基于我国大科学装置的基础研究才会迎来真正的科学春天。
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文献信息
篇名 负电子亲和势光电阴极50年史话
来源期刊 红外技术 学科 物理学
关键词 光电阴极 像增强器 能带结构 光源 EBAPS
年,卷(期) 2015,(10) 所属期刊栏目 综述与评论
研究方向 页码范围 801-806
页数 6页 分类号 O462.3
字数 2586字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 常本康 南京理工大学电子工程与光电技术学院 234 2020 19.0 30.0
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相关学者/机构
期刊影响力
红外技术
月刊
1001-8891
53-1053/TN
大16开
昆明市教场东路31号《红外技术》编辑部
64-26
1979
chi
出版文献量(篇)
3361
总下载数(次)
13
总被引数(次)
30858
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