FD －SOI 的优点及在中国发展的机遇

• 作者: 刘忠立 赵凯
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 全耗尽绝缘体上硅技术 节能 低功耗 低电压 特征尺寸 缩比
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 1-3,6
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 2971字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2015.02.001

摘要

大多数的电子产品都面临着节能问题，特别是移动电子产品和空间应用，需要集成电路在低电压和低功耗下工作。体硅，甚至 PD －SOI（部分耗尽绝缘体硅）CMOS 电路，在这些方面遇到很大的挑战。FD －SOI，即全耗尽绝缘体硅技术是一个非常好的选择。当器件特征尺寸缩比到纳米级时，FD －SOI 的节能优势更加突出。介绍 FD －SOI 的优点、应用及在中国发展的机遇。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵凯	中国科学院微电子研究所	89	1212	16.0	33.0
2	刘忠立	中国科学院微电子研究所	77	412	12.0	14.0