离子源工艺参数对BCB胶刻蚀速率和表面粗糙度的影响

• 作者: 刘卫国 包强 周顺 姬娇 惠迎雪 蔡长龙 陈智利
• 来源期刊: 应用光学
• 学科: 工学
• 关键词: 离子束刻蚀 离子束参数 刻蚀速率 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 光电器件与制造
• 页码范围: 795-798
• 页数: 4页
• 分类号: TN205
• 字数: 2771字
• 语种: 中文
• DOI: 10.5768/JAO201536.0505001

摘要

为了研究离子束刻蚀抛光过程中离子源工艺参数对刻蚀速率及表面粗糙度的影响,采用微波离子源为刻蚀离子源,以BCB胶为主要研究对象,研究了离子束能量、离子束电流、氩气流量、氧气流量对BCB胶刻蚀速率及表面粗糙度的影响,获得了离子源工艺参数与刻蚀速率及表面粗糙度演变的关系.研究结果表明,离子束能量在从400 eV增大到800 eV的过程中,刻蚀速率不断增大,从3.2 nm/min增大到16.6 nm/min;离子束流密度在从15 mA增大到35 mA的过程中,刻蚀速率不断增大,从1.1 nm/min增大到2.2 nm/min;工作气体中氧气流量从2 mL/min增大到10 mL/min的过程中,刻蚀速率会整体增大,在8 mL/min处略有下降.表面粗糙度变化不大,可以控制在1.8 nm以下.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘卫国	西安工业大学光电微系统研究所	112	575	12.0	17.0
2	蔡长龙	西安工业大学光电微系统研究所	82	319	8.0	14.0
3	惠迎雪	西安工业大学光电微系统研究所	38	186	6.0	12.0
4	周顺	西安工业大学光电微系统研究所	32	113	6.0	8.0
5	陈智利	西安工业大学光电微系统研究所	46	203	8.0	11.0
6	包强	西安工业大学光电微系统研究所	2	4	1.0	2.0
7	姬娇	西安工业大学光电微系统研究所	2	4	1.0	2.0