从热蒸发多孔氧化硅薄膜表面形貌研究其生长机理?

• 作者: 文铨 朱慧群 王忆 罗坚义 范东华 赵丽特 龙拥兵
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜 多孔氧化硅 纳米线 纳米片 生长机理
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 页码范围: 37-42
• 页数: 6页
• 分类号: TB321
• 字数: 5389字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2015.12.009

摘要

薄膜的表面形貌与生长机理相关，因此可以通过研究薄膜表面形貌的演变来外推其生长机理。利用热蒸发法在硅片上制备了纳米多孔二氧化硅薄膜，利用扫描电镜(SEM)和 X 射线能谱(EDS)对不同样品的形貌、成分进行了表征。研究发现所制备的薄膜是由线状结构或直立的片状结构所构成的多孔结构。利用马拉高尼效应和润湿理论，对薄膜的气-液-固生长机理和氧化物辅助生长机理进行了探讨。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王忆	五邑大学应用物理与材料学院	59	242	8.0	12.0
2	朱慧群	五邑大学应用物理与材料学院	29	82	4.0	6.0
3	罗坚义	五邑大学应用物理与材料学院	20	64	5.0	6.0
4	范东华	五邑大学应用物理与材料学院	18	42	2.0	5.0
5	赵丽特	五邑大学应用物理与材料学院	18	45	4.0	6.0
6	龙拥兵	五邑大学应用物理与材料学院	6	21	3.0	4.0
7	文铨	五邑大学应用物理与材料学院	1	2	1.0	1.0