铋掺杂砷化镓晶体的坩埚下降法生长研究

• 作者: 何庆波 徐家跃 房永征 王冰心 金敏
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 坩埚下降法 晶体生长 砷化镓晶体 Bi掺杂
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 页码范围: 1156-1160,1170
• 页数: 6页
• 分类号: O78
• 字数: 2944字
• 语种: 中文

摘要

使用<511>取向GaAs籽晶,在直径2英寸的pBN坩埚中生长了2.5％Bi掺杂的GaAs晶体.能量分散谱仪(EDS)和透过光谱均有Bi相关谱峰的存在,说明Bi原子已掺杂到GaAs晶体中.X射线双摇摆曲线测得半高峰宽值为42".与未掺杂GaAs晶体相比,所得晶体的禁带宽度出现红移,从1.43 eV移至近1.39 eV.扫面式电子显微镜(SEM)显示晶体中存在少量富Bi包裹物,晶体质量有待进一步改进.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	房永征	上海应用技术学院材料科学与工程学院	46	146	7.0	9.0
2	金敏	上海应用技术学院材料科学与工程学院	14	46	4.0	6.0
3	徐家跃	上海应用技术学院材料科学与工程学院	87	198	6.0	9.0
4	王冰心	上海应用技术学院材料科学与工程学院	2	5	2.0	2.0
5	何庆波		1	2	1.0	1.0