HgTe/CdS/ZnS多壳层量子点的制备与表征

• 作者: 秦瑞飞 胡军 金崇君
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 其他
• 关键词: HgTe/CdS/ZnS量子点 外延生长 荧光量子产率
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 272-278
• 页数: 7页
• 分类号: O842.31
• 字数: 4490字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20153603.0272

摘要

采用一种简单的方法合成HgTe/CdS/ZnS多壳层量子点。首先,以1-硫代甘油为稳定剂,在水相溶液中制备出HgTe核量子点；然后,采用外延生长法依次在HgTe核量子点表面包覆CdS和ZnS壳层,合成出最终具有稳定近红外发光的HgTe/CdS/ZnS多壳层量子点。该合成方法仅需3个步骤,具有操作简单、成本低廉的优点。实验结果显示,当反应温度为90℃、反应溶液pH为11.0、反应加热回流时间为4 min时,HgTe/CdS/ZnS多壳层量子点具有最高荧光量子产率36%。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡军	中山大学物理科学与工程技术学院	28	194	8.0	13.0
2	金崇君	中山大学物理科学与工程技术学院	3	6	1.0	2.0
3	秦瑞飞	中山大学物理科学与工程技术学院	1	0	0.0	0.0