基片偏压改变对镁合金Ti/TiN膜质量的影响

• 作者: 宫学博 李忠厚 杨迪 郭腾腾 马芹芹
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 镁合金AZ31 偏压 多弧离子镀 Ti/TiN膜层质量
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 膜层技术 Coating Technology
• 页码范围: 88-91,132
• 页数: 5页
• 分类号: TG174.444
• 字数: 2694字
• 语种: 中文

摘要

目的：探讨基片偏压对镁合金Ti/TiN膜层质量的影响。方法利用多弧离子镀技术,在不同偏压条件下,对镁合金先镀Ti再镀TiN,通过SEM观察膜层形貌,通过划痕测定膜基结合性能,通过电化学工作站对比AZ31镁合金与不同偏压镀膜试样的耐蚀性。结果偏压为200 V时,TiN膜层致密均匀且成膜速度快,膜层耐蚀性最好；偏压为200 V时,基体结合最好且膜层较厚,有较好的耐蚀性。结论镀Ti 膜时的偏压对随后镀TiN的质量有着显著的影响,以200 V偏压的工艺镀TiN膜层质量最好,膜层致密,成膜速度快,耐蚀性优良。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李忠厚	青岛滨海学院机电工程学院	8	25	3.0	4.0
2	郭腾腾	青岛滨海学院机电工程学院	4	19	3.0	4.0
3	宫学博	青岛滨海学院机电工程学院	4	19	3.0	4.0
4	马芹芹	青岛滨海学院机电工程学院	4	19	3.0	4.0
5	杨迪	青岛滨海学院机电工程学院	4	19	3.0	4.0