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摘要:
利用磁控溅射系统,N2和Ar作为溅射气体,生长N掺杂ZnO薄膜。溅射气氛中氮气流量分别为0,8,20,32 mL/min,通过改变氮气的流量,研究薄膜性能的变化。结果发现,随着溅射气氛中氮气流量的增加,薄膜的电阻率增加,薄膜中NO 与( N2) O 的掺杂浓度同时在变大。当氮气流量为8 mL/min时,N的有效掺杂效率最高。另外,随着溅射气氛中氮气流量的增加,薄膜的厚度在减小。
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文献信息
篇名 溅射气氛对N掺杂ZnO薄膜性能的影响
来源期刊 发光学报 学科 物理学
关键词 ZnO薄膜 N掺杂 溅射气氛 光电性能
年,卷(期) 2015,(3) 所属期刊栏目 材料合成及性能
研究方向 页码范围 317-321
页数 5页 分类号 O484.4|O472
字数 2693字 语种 中文
DOI 10.3788/fgxb20153603.0317
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 宋文福 北华大学物理学院 13 79 5.0 8.0
2 刘军胜 北华大学物理学院 7 12 2.0 3.0
3 张跃林 北华大学物理学院 7 11 2.0 3.0
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N掺杂
溅射气氛
光电性能
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发光学报
月刊
1000-7032
22-1116/O4
大16开
长春市东南湖大路16号
12-312
1970
chi
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