基于SOI的低功耗低偏振相关损耗的可调光衰减器

• 作者: 吴远大 安俊明 王玥 胡雄伟 袁配
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上硅 等离子体色散 可调光衰减器 平面光波回路
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 189-193
• 分类号: TN715
• 语种: 中文

摘要

基于硅的等离子体色散效应,构建了大尺寸SOI基光波导电光可调光衰减器(VOA)仿真模型,系统模拟分析了结构参数对VOA衰减及偏振相关特性的影响,优化设计出了低功耗、低偏振相关损耗的VOA器件,仿真结果表明,该VOA在20 dB衰减下的功耗仅为24 mW,偏振相关损耗为0.41 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王玥	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	79	544	8.0	22.0
2	吴远大	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	25	34	3.0	4.0
3	安俊明	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	45	77	5.0	6.0
4	胡雄伟	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	41	134	6.0	9.0
5	袁配	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	1	2	1.0	1.0