两步生长法生长的Inx Ga1-x As/GaAs材料及性质

• 作者: 张志伟 曾玉刚 缪国庆 韩智明
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 两步生长法 GaAs InGaAs MOCVD
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 288-292
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3|O484.4
• 字数: 2929字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20153603.0288

摘要

利用LP-MOCVD技术，采用两步生长法在GaAs(100)单晶衬底上外延生长InxGa1-xAs材料。通过扫描电子显微镜( SEM)与原子力显微镜( AFM)观察了缓冲层厚度对外延层表面形貌、表面粗糙度的影响；利用X射线衍射( XRD)分析了缓冲层厚度对外延层结晶质量的影响；利用拉曼光谱分析了缓冲层厚度对外延层材料合金有序度的影响；通过透射电子显微镜( TEM)观察了外延层材料位错的分布状态，计算了外延层的位错密度。实验结果表明，两步生长法生长的Inx Ga1-x As/GaAs异质结材料的缓冲层厚度存在一个最优值。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩智明	发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	1	2	1.0	1.0
5	缪国庆	发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	3	21	2.0	3.0
6	曾玉刚	发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	2	5	2.0	2.0
7	张志伟	发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	2	5	2.0	2.0