2μm InGaAsSb/AlGaAsSb应变补偿量子阱结构的数值研究

• 作者: 刘国军 刘超 刘鹏程 安宁 方玄 李占国 马晓辉 魏志鹏
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: InGaAsSb/AlGaAsSb 应变补偿 临界厚度 能带结构 增益 阈值电流
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 205-208,212
• 分类号: TN248.4
• 语种: 中文

摘要

为了降低2μm半导体激光器的阈值电流并提高器件的输出功率,设计了InGaAsSb/AlGaAsSb应变补偿量子阱结构,并利用SimLastip软件对器件进行了数值模拟.研究表明,在势垒中适当引入张应变可以改善量子阱的能带结构,提高对载流子的限制能力.当条宽为120 μm、腔长为1 000 μm时,采用应变补偿量子阱结构的激光器的阈值电流为91 mA,斜率效率为0.48 W/A.与压应变量子阱激光器相比,器件性能得到明显的改善.