宽温范围高温度稳定性曲率互补电压基准设计

• 作者: 卢东旭 吴洪江 田国平 赵永瑞
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 宽温度范围 带隙基准 温度稳定性 曲率互补 温度系数
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 426-430
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.06.005

摘要

针对当前射频系统中电源管理芯片在宽温度范围下对带隙基准稳定性的较高要求,提出了一种新型互补带隙基准电路结构,通过将带隙基准与MOS弱反型区基准的温度系数曲率互补叠加,实现了极宽温度范围内带隙电压基准的高温度稳定性输出.采用0.35 μm CMOS工艺对所设计的电路进行了流片验证,测试结果表明,基准电压源工作电压为5V时,输出基准电压1.28 V,在-55 ～125℃温度范围内,温度系数可达4.5×10-6/℃,频率1 kHz时,电源抑制比(PSRR)可达-60 dB,100 kHz时,PSRR可达-55 dB,电压基准源芯片面积为0.22 mm×0.15 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田国平		7	11	2.0	3.0
2	吴洪江	中国电子科技集团公司第十三研究所	49	225	8.0	10.0
3	卢东旭	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	14	2.0	3.0
4	赵永瑞	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	6	1.0	2.0