GaN纳米柱发光特性

• 作者: 修向前 张荣 戴姜平 施毅 杨华 谢自力 赵红 郑有炓 陈鹏 韩平
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN纳米柱 KOH腐蚀 光致发光 内量子效率
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 279-282
• 页数: 4页
• 分类号: O472+.3|O482.31
• 字数: 2108字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20153603.0279

摘要

用自组装的Ni纳米岛做掩模通过ICP刻蚀得到GaN纳米柱，采用扫描电子显微镜( SEM )观测其形貌，室温下光致发光( PL)谱测量研究样品发光特性。结果表明，室温下GaN 纳米柱的发光强度是体材料的2.6倍。为了修复刻蚀损伤，用KOH对样品进行湿法处理，发现经KOH处理的纳米柱与处理前相比变得更直，且其发光较处理之前进一步增强。为了研究其原因，分别对KOH处理前后的样品进行变温PL谱的测量，发现湿法处理后发光增强是由于内量子效率的提高引起的。