Ⅰ层对PIN型InGaN太阳电池性能影响的研究

• 作者: 张富春 黄保瑞
• 来源期刊: 河南科学
• 关键词: 太阳电池 InGaN 转换效率
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 所属期刊栏目: 能源科学与计算机科学
• 页码范围: 1946-1948
• 页数: 3页
• 分类号: TM914.4
• 语种: 中文

摘要

利用wxAMPS软件研究了Ⅰ层对PIN型InGaN太阳电池性能的影响及物理机制.通过模拟计算发现,在同质结的PIN型InGaN太阳电池中,随着Ⅰ层厚度的增加,InGaN电池的开路电压几乎恒定,而短路电流增加,因此太阳能转换效率增加.在异质结的PIN型InGaN太阳电池中,Ⅰ层与P层和N层的In组分之差变大,会使异质结带阶变大,降低了太阳电池的能量转换效率.研究结果表明,适当选择Ⅰ层厚度和In组分可以实现太阳电池转换效率提升和成本控制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张富春	延安大学物理与电子信息学院	94	391	10.0	17.0
2	黄保瑞	延安大学物理与电子信息学院	20	62	4.0	7.0