射频磁控溅射低温制备ITO薄膜

• 作者: 卢景霄 司嘉乐 杨德林 王秀娟 谷锦华
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ITO薄膜 射频磁控溅射 电阻率
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 页码范围: 1516-1522
• 页数: 7页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3799字
• 语种: 中文

摘要

利用射频磁控溅射法低温制备铟锡氧化物薄膜,主要研究了氧氩流量比、溅射功率、溅射压强、沉积温度和靶基距等工艺参数对ITO薄膜结构和光电性能的影响.在优化的沉积条件即氧氩流量比0.1/25、溅射功率210W、溅射压强0.2 Pa、靶基距2.0 cm和衬底为100℃的低温下制备的ITO薄膜电阻率为7.3×10-4Ω·cm、可见光范围内平均透光率为89.4％.在氩气气氛中200℃低温退火60 min后,ITO薄膜的电阻率降为3.8 ×10-4Ω·cm,透光率不变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谷锦华	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	25	103	6.0	8.0
2	杨德林	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	39	206	9.0	11.0
3	卢景霄	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	100	570	12.0	17.0
4	王秀娟	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	6	39	3.0	6.0
5	司嘉乐	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	1	6	1.0	1.0