原子层沉积技术在微纳器件中的应用研究进展

• 作者: 丑修建 刘俊 李惠琴 杨杰 王成 穆继亮 薛晨阳 许卓 陈晓勇
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 原子层沉积 薄膜技术 高深宽比结构 纳米多孔结构 微纳结构器件
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 表面强化及功能化 Surface Strengthening and Functionalization
• 页码范围: 60-67
• 页数: 8页
• 分类号: O484.4
• 字数: 4386字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.02.012

摘要

原子层沉积( ALD)是一种新型的精确表层薄膜制备技术，具有沉积面积大、薄膜均匀、膜厚纳米级可控生长、低温性等特点，适用于纳米多孔和高深宽比基底材料，可应用于三维微纳结构器件的功能薄膜材料制备，广受国内外学术界和工业界的关注。综述了ALD技术发展历史和技术原理，介绍了ALD技术在微纳器件中的应用进展，涉及半导体微纳集成电路、微纳光学器件、微纳米生物医药等高新技术领域，对ALD技术当前存在的问题进行了分析，并展望了未来发展方向。