钼缓冲层对钼/铜叠层结构电极特性的影响

• 作者: 喻志农 张学辉 李旭远 杨伟生 柳逢春 薛唯 薛建设
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 显示技术 钼铜叠层电极 电阻率 扩散 附着力
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 功能薄膜
• 页码范围: 1-5
• 分类号: TN27
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2015.01.01

摘要

采用直流磁控溅射方法制备了钼/铜叠层结构电极,其电阻率达到2.28 μΩ·cm,显著低于铝钕合金的电阻率;金属钼作为缓冲层,提高了铜电极在玻璃上的附着力;钼作为阻挡层有效地阻挡了铜向非晶硅中的扩散,避免了铜对于薄膜晶体管有源层的影响.采用这种结构的电极作为大尺寸高分辨平板显示器的扫描线和数据线有望缓解信号延迟的问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	喻志农	北京理工大学光电学院薄膜与显示实验室	31	127	5.0	10.0
2	薛建设	京东方科技集团股份有限公司技术研发中心	4	41	2.0	4.0
3	薛唯	北京理工大学光电学院薄膜与显示实验室	38	223	8.0	13.0
4	李旭远	北京理工大学光电学院薄膜与显示实验室	1	2	1.0	1.0
5	张学辉	京东方科技集团股份有限公司技术研发中心	1	2	1.0	1.0
6	柳逢春	北京理工大学光电学院薄膜与显示实验室	2	4	2.0	2.0
7	杨伟生		1	2	1.0	1.0