硅对 NaCl 胁迫下甜瓜种子萌发及幼苗生长的影响

• 作者: 张峰 王小青 王映霞 王玉萍 白向利
• 来源期刊: 草业学报
• 关键词: 硅 NaCl 胁迫 种子萌发 幼苗生长 甜瓜
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 108-116
• 页数: 9页
• 字数: 7374字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11686/cyxb20150513

摘要

为明确硅（silicon，Si）对盐胁迫的缓解作用，以“雪梨一号”和“朗秦银蜜”两个耐盐性不同的甜瓜品种为材料，在125 mmol／L NaCl 胁迫下，研究了不同浓度外源 Si 对甜瓜种子萌发和幼苗生长的影响。结果表明，NaCl 胁迫显著抑制了甜瓜种子萌发，0．50～1．00 mmol／L 外源 Si 处理较对照能显著提高种子的发芽率、发芽势、发芽指数、α-淀粉酶活性及吸水率，其中两个品种的种子均以0．75 mmol／L 外源 Si 处理效果最好；NaCl 胁迫下，0．25～1．00 mmol／L 外源 Si 处理后，甜瓜幼苗的株高、叶面积、叶绿素含量、地上部分干重和根系干重较对照显著提高，其中“朗秦银蜜”和“雪梨一号”幼苗分别以0．50和0．75 mmol／L 外源 Si 处理效果最好。研究表明，0．25～1．00 mmol／L外源 Si 能促进 NaCl 胁迫下种子吸水和α-淀粉酶活性的提高来促进种子萌发，通过提高 NaCl 胁迫下幼苗叶绿素含量维持较高的光合能力促进幼苗生长，缓解盐胁迫对甜瓜种子和幼苗的伤害，外源 Si 浓度超过1．25 mmol／L 时对盐胁迫没有缓解效应。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王映霞	甘肃农业大学园艺学院	1	19	1.0	1.0