基于MEMS工艺的SOI高温压力传感器设计

• 作者: 姚宗 李丹丹 李赛男 梁庭 熊继军
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高温压力传感器 压阻 敏感薄膜 SOI(绝缘体上硅) MEMS(微机电系统)
• 年，卷（期）: 2015,（9）
• 所属期刊栏目: 传感器研究
• 页码范围: 1315-1320
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.1
• 字数: 2506字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2015.09.009

摘要

利用MEMS(微机电系统)工艺中的扩散,刻蚀,氧化,金属溅射等工艺制备出SOI高温压力敏感芯片,并通过静电键合工艺在SOI芯片背面和玻璃间形成真空参考腔,最后通过引线键合工艺完成敏感芯片与外部设备的电气连接.对封装的敏感芯片进行高温下的加压测试,高温压力测试结果表明,在21℃(常温)至300℃的温度范围内,传感器敏感芯片可在压力量程内正常工作,传感器敏感芯片的线性度从0.9 985下降为0.9 865,控制在较小的范围内.高温压力下的性能测试结果表明,该压力传感器可用于300℃恶劣环境下的压力测量,其高温下的稳定性能为压阻式高温压力芯片的研制提供了参考.