IGBT功率模块键合线故障下的温度特性研究

• 作者: 杜明星 禹鑫 窦汝振 魏克新
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘栅双极型晶体管 键合线故障 温度特性
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 可再生能源中的电力电子技术
• 页码范围: 55-57
• 页数: 3页
• 分类号: TN3
• 字数: 1928字
• 语种: 中文

摘要

针对IGBT功率模块不断承受温度变化和功率循环后导致的键合线脱落(典型故障之一),基于红外探测法和热电阻接触测温法,研究了IGBT模块键合线故障下从芯片到底板的稳态热阻抗、芯片温场分布和温度变化.研究表明:键合线脱落不会影响IGBT模块从芯片到底板的稳态热阻抗值;键合线脱落后,芯片表面温场分布不均且芯片中心温度变化率增大.这些温度变化特性均可作为诊断键合线故障的重要依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏克新		81	572	14.0	18.0
2	窦汝振		27	546	9.0	23.0
3	杜明星		55	278	9.0	14.0
4	禹鑫		1	10	1.0	1.0