GaN HEMT器件结构的研究进展

• 作者: 于宁 刘飞飞 孙捷 宋会会 朱彦旭 杜志娟 王岳华 王红航
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高电子迁移率晶体管 氮化镓 高频 结构设计
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1178-1187
• 页数: 10页
• 分类号: TN386.3
• 字数: 5415字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20153610.1178

摘要

GaN高电子迁移率晶体管( HEMT)具有大的禁带宽度、高电子饱和速度、异质结界面的高二维电子气浓度、高击穿电压以及高的热导率，这一系列特性使它在高频、高功率、高温等领域得到了广泛的认可。本文首先论述了制约氮化镓高电子迁移率晶体管器件性能提高所遇到的问题及解决方法；然后，着重从优化材料结构设计和器件结构设计的角度，阐述了氮化镓高电子迁移率晶体管器件在高频高功率领域的最新研究进展；最后，讨论了器件进一步发展的方向。