Ⅲ-Ⅴ族太阳电池的发展和应用系列讲座(1) 砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(1)

• 作者: 向贤碧 廖显伯
• 来源期刊: 太阳能
• 关键词: Ⅲ-Ⅴ族材料 多结叠层电池 高效聚光电池 外延生长技术
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 科普苑
• 页码范围: 15-16
• 页数: 2页
• 字数: 1077字
• 语种: 中文

摘要

介绍以直接带隙Ⅲ-Ⅴ族材料为主体的多结叠层聚光太阳电池的特性和研发进展.据报道,三结叠层GaInP/GaAs/Ge太阳电池已成为空间能源的主力军,四结叠层GaInP/GaAs/GaInPAs/GaInAs聚光太阳电池的效率已达46.5％.在不远的将来,实现高效(＞50％)、低成本的Ⅲ-Ⅴ族多结叠层聚光电池是有现实可能的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	廖显伯	中国科学院半导体研究所	31	378	7.0	19.0
2	向贤碧	中国科学院半导体研究所	19	49	4.0	7.0