一种双栅结构抗单粒子翻转加固SRAM存储单元

• 作者: 刘文平 姚思远
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 单粒子翻转 双栅结构 SRAM存储单元 加固设计
• 年，卷（期）: 2015,（18）
• 所属期刊栏目: 电子元器件设计与应用
• 页码范围: 102-105
• 页数: 4页
• 分类号: TN603-34
• 语种: 中文

摘要

通过对单粒子效应以及抗单粒子翻转电路加固原理进行分析,提出一种基于双栅MOS结构的具有单粒子翻转加固能力的SRAM存储单元.该单元在实现抗单粒子翻转加固的同时具有快速翻转恢复、快速写入、低静态功耗的特点.基于0.18 μm CMOS工艺进行电路仿真,结果显示该加固单元读/写功能正确,翻转阈值大于100 MeV· cm2/mg.可以预测,该电路应用于空间辐射环境下将有较好的稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘文平		17	71	5.0	7.0
2	姚思远		1	2	1.0	1.0