能量过滤磁控溅射技术室温制备ITO膜的光电特性及其应用

• 作者: 姚宁 张清清 王朝勇 程祖华 韩昌报
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 能量过滤磁控溅射 直流反应磁控溅射 顶发射有机电致发光器件 ITO薄膜
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 功能薄膜
• 页码范围: 18-22
• 分类号: O469
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2015.01.04

摘要

利用在直流反应磁控溅射(DMS)技术基础上改进的能量过滤磁控溅射(EFMS)技术制备了ITO薄膜,并将其应用于顶发射有机电致发光器件(TOLED)的阳极.利用X射线衍射、原子力显微镜、椭圆偏振光谱仪和四探针方块电阻测试仪分析了薄膜的结构、表面形貌、光学和电学特性,利用自搭建的电压-电流密度-发光效率测试系统测量了TOLED器件的发光效率.结果表明,与DMS技术相比,EFMS技术可有效抑制对有机功能层的溅射损伤,制备的ITO薄膜表面更平整,晶粒尺寸更细小,而且具有优良的光学和电学性能(400～ 800 nm波长范围的平均透射率为87.1％;方块电阻低至4.56×10-4Ω·cm).以该薄膜为阳极的TOLED器件的发光效率显著提高,在3.26 mA/cm2的电流密度下发光效率达到0.09 lm/W.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚宁	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	122	692	12.0	18.0
2	韩昌报	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	4	34	3.0	4.0
3	王朝勇	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	14	38	3.0	5.0
5	张清清	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	1	11	1.0	1.0
8	程祖华	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	1	11	1.0	1.0