考虑漏磁效应的新型磁控可调电抗器的磁路建模和特性

• 作者: 万秋兰 李念 林克曼 林明耀
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控可调电抗器 有限元分析 磁路模型 漏磁效应 控制特性
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 新型电机驱动及其控制专题
• 页码范围: 114-121
• 页数: 8页
• 分类号: TM315
• 字数: 4368字
• 语种: 中文

摘要

为了扩大磁控可调电抗器(Saturable-Core Controllable Reactor,SCCR)的电抗调节范围并保持良好的线性控制特性,设计和研究一种基于磁放大原理的新型磁控可调电抗器结构,该电抗器铁心磁路中设置有气隙.论文分析了该可调电抗器的磁化机理和控制特性,利用三维有限元方法(FEM)计算了新型磁控可调电抗器的磁场分布,建立了考虑漏磁效应的磁控可调电抗器的等效磁路模型.研究结果表明,新型磁控可调电抗器的电抗控制特性线性调节范围宽,对直流偏磁电源容量要求小.通过将仿真计算与样机测试结果比较,验证了所建立等效磁路模型的正确性和有效性,对新型磁控可调电抗器的设计和应用具有参考价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林明耀	东南大学电气工程学院	79	1265	20.0	32.0
2	万秋兰	东南大学电气工程学院	81	1515	21.0	35.0
3	李念	东南大学电气工程学院	5	41	2.0	5.0
4	林克曼	东南大学电气工程学院	3	24	2.0	3.0