氮化镓元件将扩展功率应用市场

• 作者: 郑畅
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 经济
• 关键词: 氮化镓 功率半导体 国际整流器 英飞凌 成长率 产品组合 独家授权 技术导入 电源转换 Fujits
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 页码范围: 41-42
• 页数: 2页
• 分类号: F416.6

摘要

<正>根据YoleDeveloppement指出,氮化镓(GaN)元件即将在功率半导体市场快速发展,从而使专业的半导体业者受惠;另一方面,他们也将会发现逐渐面临来自英飞凌(Infineon)/国际整流器(InternationalRectifier;IR)等大型厂商的竞争或并购压力。Yole估计,2015年GaN在功率半导体应用的全球市场规模约为1千万美元。但从2016-2020年之间,这一市场将以93%的年复合成长率(CAGR)成