合成Cu2ZnSnS4薄膜四元共电沉积机理与退火相转变

• 作者: 张传香 沈鸿烈 皮锦红 贺显聪 郝菀
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: Cu2ZnSnS4 四元共电沉积 退火
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 材料与工艺
• 页码范围: 66-72
• 页数: 7页
• 分类号: TB43
• 语种: 中文
• DOI: 10.11868/j.issn.1001-4381.2015.04.012

摘要

采用循环伏安法研究了制备CZTS薄膜四元预制层的电化学沉积机理.结合XRD,SEM,EDS和Raman技术分析预制层退火的相转变机制.结果表明:溶液中Cu2+和Sn2+浓度不仅影响其本身的沉积速率,还影响溶液中其他金属元素的沉积速率,而Zn2+浓度仅影响其本身沉积速率.四元预制层的沉积以原子层外延为机理,在负电位作用下,Cu2+先转变为Cu原子沉积在衬底表面,且与衬底附近析出的S原子发生化学反应,在衬底上生成CuS,同样,SnS和ZnS也以这种方式交替沉积在衬底上.预制层二元硫化物随着退火温度的升高逐渐转变为Cu2(3) SnS3(4)和Cu2ZnSnS4.利用四元共电沉积预制层550℃退火1h合成的Cu2ZnSnS4薄膜原子比为Cu∶Zn∶Sn∶S=23.72∶12.22∶13.07∶50.99.无偏压下合成的CZTS薄膜光电流达到约6nA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	皮锦红	南京工程学院材料工程学院	29	202	8.0	13.0
3	张传香	南京工程学院材料工程学院	13	13	2.0	3.0
7	贺显聪	南京工程学院材料工程学院	15	37	3.0	5.0
11	郝菀	南京工程学院材料工程学院	1	1	1.0	1.0