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A 1G-cell floating-gate NOR flash memory in 65 nm technology with 100 ns random access time
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摘要：
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文献信息
| 篇名 | A 1G-cell floating-gate NOR flash memory in 65 nm technology with 100 ns random access time | ||
| 来源期刊 | 中国科学 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | NOR闪存 存取时间 纳米技术 细胞 随机 阵列模式 浮动 ns | ||
| 年，卷（期） | zgkx_2015,（4） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 154-161 | |
| 页数 | 8页 | 分类号 | TP333 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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NOR闪存
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