0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应

• 作者: 刘昌举 孙静 文林 李豫东 汪波 玛丽娅 郭旗
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电离总剂量辐射效应 CMOS有源像素传感器 饱和输出信号 像素单元结构 LOCOS隔离
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 发光学应用及交叉前沿
• 页码范围: 242-248
• 页数: 7页
• 分类号: TP212.14|TN386.5
• 字数: 4022字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20153602.0242

摘要

采用60Co-γ射线对某国产0.5μm CMOS N阱工艺CMOS有源像素传感器(APS)的整体电路和像素单元结构进行了电离总剂量辐射效应研究,重点考察了器件的饱和输出信号、像素单元输出信号、暗信号等参数的变化规律.随着辐射剂量的增大,饱和输出信号逐渐减小且与像素单元饱和输出信号变化基本一致;暗信号随总剂量的增大而显著增大.研究结果表明,0.5 μm工艺CMOS APS电离总剂量辐射效应引起参数退化的主要原因是光敏二极管周围的整个LOCOS(Local oxidation of silicon)隔离氧化层产生了大量的辐射感生电荷.