台湾稳懋公司扩展其氮化镓产品组合——新型碳化硅基氮化镓工艺针对4G-5G宏基站应用

• 作者: 赵佶
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 宏基站 产品组合 用户设计 化合物半导体 代工厂 功率附加效率 线性度 硅衬底 输出功率
• 年，卷（期）: bdtxx_2015,（6）
• 页码范围: 10-
• 页数: 1页
• 分类号: TN722.75

摘要

<正>台湾化合物半导体代工厂稳懋公司,近期推出了NP45碳化硅基氮化镓工艺,进一步扩展了其氮化镓技术产品组合。NP45是一种0.45μm栅MMIC技术,能使用户设计出充分集成的放大器产品以及定制型离散晶体管。经过优化后,该基础能应用于4G宏基站功率放大器,可在2.7GHz及以上工作,其带宽和线性度指标都是关键的性能区分指标。