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摘要:
基于SMIC 0?18μm RF CMOS工艺,采用双负反馈结构设计了一款2?4 GHz的功率放大器。该功率放大器由驱动级和功率输出级2级组成,利用片上电感实现了级间的阻抗变换。仿真结果表明,电路在工作频率范围内,功率增益为24 dB,输出1 dB压缩点为23 dBm,峰值功率附加效率为40%。
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文献信息
篇名 一种基于CMOS工艺2?4 GHz功率放大器的设计
来源期刊 无线电工程 学科 工学
关键词 双反馈 功率放大器 GMOS
年,卷(期) 2015,(2) 所属期刊栏目 电磁场与微波
研究方向 页码范围 56-59
页数 4页 分类号 TN924+.2
字数 2199字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-3106.2015.02.16
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吕杰 中国电子科技集团公司第五十四研究所 5 4 2.0 2.0
2 刘林海 中国电子科技集团公司第五十四研究所 12 42 3.0 6.0
3 曹纯 中国电子科技集团公司第五十四研究所 8 23 2.0 4.0
4 李哲 中国电子科技集团公司第五十四研究所 17 35 3.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
双反馈
功率放大器
GMOS
研究起点
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研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
无线电工程
月刊
1003-3106
13-1097/TN
大16开
河北省石家庄市174信箱215分箱
18-150
1971
chi
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