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摘要:
目的:研究热丝化学气相沉积( HFCVD)工艺对金刚石薄膜生长的影响,确定影响金刚石薄膜生长的因素。方法采用热丝CVD法,以丙酮为碳源,在不同晶面的Si衬底上沉积金刚石薄膜,通过金相显微镜、X射线衍射仪分析薄膜生长特性。结果不同沉积温度下生长的金刚石薄膜表面形貌差异很大。在高、低碳源浓度下分别获得了(400)和(111)晶面取向的金刚石薄膜。采用分步沉积法,改善了成膜的效率。结论气源浓度和生长温度是影响金刚石薄膜生长的重要因素,分步沉积法对于金刚石薄膜的生长有较大影响。
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 高取向低粗糙度金刚石薄膜生长的研究
来源期刊 表面技术 学科 工学
关键词 金刚石薄膜 择优取向 碳源浓度 表面形貌
年,卷(期) 2015,(2) 所属期刊栏目 膜层技术 Coating Technology
研究方向 页码范围 29-33
页数 5页 分类号 TG174.444
字数 3110字 语种 中文
DOI 10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.02.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨瑞霞 河北工业大学信息工程学院 180 759 13.0 18.0
2 康强 河北工业大学信息工程学院 2 3 1.0 1.0
3 石双振 河北工业大学信息工程学院 2 3 1.0 1.0
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金刚石薄膜
择优取向
碳源浓度
表面形貌
研究起点
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期刊影响力
表面技术
月刊
1001-3660
50-1083/TG
16开
重庆市2331信箱(重庆市九龙破区石桥铺渝州路33号)
78-31
1972
chi
出版文献量(篇)
5547
总下载数(次)
30
总被引数(次)
34163
论文1v1指导