双有源层结构掺硅氧化锌薄膜晶体管的电特性

• 作者: 刘玉荣 刘远 莫淑芬
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜晶体管 氧化锌 硅掺杂 双层有源层
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 213-218
• 页数: 6页
• 分类号: TN321+.5|O472+.4
• 字数: 3169字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20153602.0213

摘要

为降低氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT)的关态电流(Ioff),提高开关电流比(Ion/Ioff),采用磁控溅射法制备掺硅氧化锌薄膜晶体管(SZO-TFT)和SZO/ZnO双层有源层结构的TFT器件,研究了Si含量对SZO薄膜透光性和SZO-TFT电性能的影响,比较了单层与双层有源层结构TFT器件的电特性.与ZnO-TFT相比,SZO-TFT的Ioff低2个数量级,最低达1.5 ×1012 A;Ion/Io.高两个数量级,最高达7.97×106.而SZO/ZnO双有源层结构的TFT器件可在不降低载流子迁移率的情况下,Ion/Ioff比ZnO-TFT提高近两个数量级,有效改善了器件的整体性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉荣	华南理工大学电子与信息学院	31	82	6.0	6.0
5	刘远	工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室	6	20	2.0	4.0
6	莫淑芬	华南理工大学电子与信息学院	1	1	1.0	1.0