日本松下研发高电流、低开启电压的氮化镓二极管

• 作者: 科信
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 开启电压 氮化镓 日本松下 开关损耗 硅二极管 松下公司 芯片尺寸 逆变器 运行频率 产品参数
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 页码范围: 14-15
• 页数: 2页
• 分类号: TN31

摘要

<正>日本松下公司近日开发出新款氮化镓二极管,新产品在额定电压1200V条件下,工作电流是传统碳化硅二极管的4倍,且开启电压较低,运行时电压仍然可维持较低水平。新型二极管采用最新研发的混合结构,由嵌入式低压组件和高电流组件组成,以应用于高电压条件下。传统硅材料二极管的开关损耗较大,另一方面,碳化硅和氮化镓材料在实