预制层溅射气压对CIGS薄膜结构及器件的影响

• 作者: 何青 刘玮 刘芳芳 周志强 孙云 张毅 李光旻 李晓东 林舒平
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 溅射气压 粗糙度 CIGS固溶体
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 192-199
• 页数: 8页
• 分类号: O484.4
• 字数: 5809字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20153602.0192

摘要

研究了金属预制层制备过程中溅射气压对Cu(In1xGax)Se2(CIGS)薄膜及电池器件性能的影响.通过调节溅射气压改变预制层的结晶状态及疏松度与粗糙度,在合适的预制层结构下,活性硒化热处理过程中,可使Ga有效地掺入到薄膜中形成优质的CIGS固溶体.高溅射气压会使预制层过于致密,呈现非晶态趋势.经活性硒化热处理后,CIGS薄膜容易产生CIS与CGS“两相分离”现象,从而导致CIGS薄膜太阳电池的开路电压和填充因子降低,电池转换效率由10.03％降低到5.02％.