高亮度顶发射单色绿光OLED微显示器件制备

• 作者: 万锐敏 于晓辉 孙浩 季华夏 宋立媛 张筱丹 朱亚安 李亚文 段瑜 王光华
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 高亮度绿光 OLED 微显示器件
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 1022-1026
• 页数: 5页
• 分类号: O482.3
• 字数: 2379字
• 语种: 中文

摘要

通过采用高效磷光体系材料和顶发射有机发光结构，配合自有的SVGA060全数字信号电路系统架构CMOS硅基驱动电路，获得了发光峰位于535 nm的高亮度单色绿光、0.6英寸、800×600分辨率OLED微显示器件，最大亮度可达20000 cd/m2。其起亮电压为2.6 V，亮度从20 cd/m2到20000 cd/m2的驱动电压摆幅为2.7 V，最大电流效率为24.43 cd/A。电流密度为20 mA/cm2时，色坐标CIEX＝0.286、CIEY＝0.665。该器件在1000 cd/m2和500 cd/m2亮度下的半衰期为42559 h和186208 h。