钼酸镉单晶的坩埚下降法生长及其退火效应

• 作者: 向军涛 王敏刚 胡旭波 赵学洋 陈红兵 魏冉
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 钼酸镉 单晶生长 坩埚下降法 光谱性能 退火效应
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 页码范围: 1432-1437
• 页数: 6页
• 分类号: O78
• 字数: 2529字
• 语种: 中文

摘要

以CdO和MoO3粉料为初始试剂,通过高温固相烧结合成CdMoO4多晶料,采用坩埚下降法生长出尺寸达φ25 mm×130mm的透明完整CdMoO4单晶;应用DSC、XRD对所获单晶进行了结晶相和热性能表征,测试了单晶的紫外可见透射光谱、紫外光激发发射光谱及其发光衰减时间.结果表明,CdMoO4单晶具有良好的一致熔融析晶特性,采用坩埚下降法较易于生长出大尺寸单晶;该单晶在吸收截止边375 nm以上波长具有良好光学透过性,在300 nm紫外光激发作用下,测得该单晶具有525 nm左右峰值波长的荧光发射,其发光衰减时间为804 ～ 1054 ns.该单晶经氧气氛高温处理呈现出明显的退火消色效应,即经1000℃以上温度的氧气氛退火处理,可使晶体的光学透过性得以明显改善,其荧光发射强度显著增强.