功率MOSFET新型封装的研究

• 作者: 晏承亮 甘海 胥小平 赖小军
• 来源期刊: 新材料产业
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 3透视 INSIGHT
• 页码范围: 53-57
• 页数: 5页
• 字数: 4338字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-892X.2015.03.012

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胥小平		2	3	1.0	1.0
2	晏承亮		1	0	0.0	0.0
3	赖小军		1	0	0.0	0.0
4	甘海		1	0	0.0	0.0