不同应变率下纳米多晶Cu/Ni薄膜变形行为的分子动力学模拟

• 作者: 吴勇芝 成聪 陈尚达 黄鸿翔
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 分子动力学 纳米多晶 Cu/Ni薄膜 应变率
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 测试与表征
• 页码范围: 60-66
• 页数: 7页
• 分类号: TB303
• 语种: 中文
• DOI: 10.11868/j.issn.1001-4381.2015.03.011

摘要

用分子动力学方法模拟了纳米多晶Cu/Ni薄膜在不同应变率下进行应变加载时的变形行为与力学性能.结果表明:Cu/Ni薄膜在较高的应变率加载情况下具有较高的屈服极限和应变率敏感性(m).应变率为108s1时Cu/Ni多层膜的界面上产生孔洞,而应变率为1010s-1时纳米多晶Cu薄膜出现碎裂.在较高的应变率加载条件下,Cu,Ni薄膜中FCC,HCP,OTHER原子团分数变化都很显著,而较小应变率时只有Cu薄膜的结构变化明显.模拟结果还表明,应变率增加有利于堆垛层错的形成,但应变率超过某一值时无序原子团增加会阻碍堆垛层错原子团的生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈尚达	湘潭大学材料与光电物理学院	12	22	3.0	4.0
5	成聪	湘潭大学材料与光电物理学院	1	10	1.0	1.0
9	吴勇芝	湘潭大学材料与光电物理学院	4	10	1.0	3.0