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日本研究者在氮化镓p-n二极管中实现4.7kV击穿电压
日本研究者在氮化镓p-n二极管中实现4.7kV击穿电压
作者:
科信
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
氮化镓
p-n
击穿电压
导通电阻
自立式
垂直结构
掺杂方法
HITACHI
场板
掺杂剖面
摘要:
<正>日本研究者在基于自立式氮化镓衬底上制造出的垂直结构的氮化镓p-n二极管中实现突破性水平的击穿电压和较低的导通电阻。这一产品采用三层漂移结构。其中,靠近p型氮化镓的漂移层结构采用轻掺杂方法,以抑制p-n结的峰值场,支持更高的电压。第二层经适度掺杂,可以降低导通电阻。研究者团队来自日本法政大学,Quantum Spread公司,Hitachi Metal subsidary Sciocs公司,他们在设计器件时采用的是2英寸自立式氮化镓衬底,采用
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篇名
日本研究者在氮化镓p-n二极管中实现4.7kV击穿电压
来源期刊
半导体信息
学科
工学
关键词
氮化镓
p-n
击穿电压
导通电阻
自立式
垂直结构
掺杂方法
HITACHI
场板
掺杂剖面
年,卷(期)
bdtxx_2015,(6)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
18-19
页数
2页
分类号
TN31
字数
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DOI
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氮化镓
p-n
击穿电压
导通电阻
自立式
垂直结构
掺杂方法
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场板
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体信息
主办单位:
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
CN:
开本:
16开
出版地:
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
邮发代号:
创刊时间:
1990
语种:
chi
出版文献量(篇)
5953
总下载数(次)
11
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