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摘要:
<正>日本研究者在基于自立式氮化镓衬底上制造出的垂直结构的氮化镓p-n二极管中实现突破性水平的击穿电压和较低的导通电阻。这一产品采用三层漂移结构。其中,靠近p型氮化镓的漂移层结构采用轻掺杂方法,以抑制p-n结的峰值场,支持更高的电压。第二层经适度掺杂,可以降低导通电阻。研究者团队来自日本法政大学,Quantum Spread公司,Hitachi Metal subsidary Sciocs公司,他们在设计器件时采用的是2英寸自立式氮化镓衬底,采用
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文献信息
篇名 日本研究者在氮化镓p-n二极管中实现4.7kV击穿电压
来源期刊 半导体信息 学科 工学
关键词 氮化镓 p-n 击穿电压 导通电阻 自立式 垂直结构 掺杂方法 HITACHI 场板 掺杂剖面
年,卷(期) bdtxx_2015,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 18-19
页数 2页 分类号 TN31
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研究主题发展历程
节点文献
氮化镓
p-n
击穿电压
导通电阻
自立式
垂直结构
掺杂方法
HITACHI
场板
掺杂剖面
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
双月刊
16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
1990
chi
出版文献量(篇)
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11
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