IGBT模块的杂散参数计算与封装设计研究

• 作者: 方化潮 王春雷 郑利兵 韩立
• 来源期刊: 智能电网
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT模块 杂散参数 平板封装 有限元仿真
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 应用与设计
• 页码范围: 328-332
• 页数: 5页
• 分类号: TM32
• 字数: 2296字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14171/j.2095-5944.sg.2015.04.010

摘要

绝缘栅型双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor，IGBT)模块由于线路杂散电感的存在使得在开通和关断的瞬态过程中产生过大的电压尖峰，过压会使IGBT芯片的集电极电流增大从而导致结温上升，且其是导致IGBT模块失效的一个重要因素，通过有限元仿真软件Ansoft Q3D Extractor对键合线结构IGBT模块的杂散参数进行计算并对其封装结构进行优化，设计可有效降低IGBT模块杂散参数的平板封装结构，结果显示平板封装IGBT模块的主回路杂散电感为11.365 nH，电阻为0.409 m?，与键合线结构IGBT模块相比，杂散电感降低55.1%，电阻降低13.2%。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方化潮		4	15	3.0	3.0
2	王春雷	电驱动系统大功率电力电子器件封装技术北京市工程实验室中国科学院电工研究所	1	6	1.0	1.0
3	郑利兵	电驱动系统大功率电力电子器件封装技术北京市工程实验室中国科学院电工研究所	1	6	1.0	1.0
4	韩立	电驱动系统大功率电力电子器件封装技术北京市工程实验室中国科学院电工研究所	1	6	1.0	1.0