基于荷控忆阻器的四阶混沌电路

• 作者: 王欢欢
• 来源期刊: 电子质量
• 学科: 工学
• 关键词: 混沌电路 荷控忆阻器 动力学分析
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 电磁兼容
• 页码范围: 69-72,75
• 页数: 5页
• 分类号: TM132
• 字数: 2651字
• 语种: 中文

摘要

近年来,基于亿阻器的混沌电路受到国内外学者的广泛关注.然而现阶段的研究,大都采用通过磁控忆阻器和负电导并联构成的有源忆阻器替代蔡氏电路中蔡氏二极管的方法.而采用荷控忆阻器的混沌电路大都同时使用荷控忆阻器与磁控忆阻器构成的五阶双忆阻器混沌电路.该文在蔡氏电路的基础上,采用荷控忆阻器与电感串联的形式构造了一个新的四阶忆阻混沌电路,并提出改进的忆阻器非线性特性曲线,通过数值仿真的方法进行了验证.最后,对这个新的四阶忆阻混沌电路进行动力学特性分析,主要通过李雅普诺夫指数和吸引子在相平面的投影.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王欢欢		4	4	1.0	1.0